Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 180 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, OptiMOS 3系列

RS 库存编号:: 145-9552
制造商零件编号:: IPB011N04NGATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 180 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, OptiMOS 3系列

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制造商零件编号:: IPB011N04NGATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	180A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	OptiMOS 3
	包装类型	TO-263
	安装类型	表面
	引脚数目	7
	最大漏源电阻 Rd	1.1mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	188nC
	最大功耗 Pd	250W
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	175°C
	长度	10.31mm
	高度	4.57mm
	宽度	9.45 mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 180A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 OptiMOS 3
	包装类型 TO-263
	安装类型表面
	引脚数目 7
	最大漏源电阻 Rd 1.1mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 188nC
	最大功耗 Pd 250W
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 175°C
	长度 10.31mm
	高度 4.57mm
	宽度 9.45 mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: CN

英飞凌 OptiMOS™ 3 系列 MOSFET，180A 最大连续漏极电流，250W 最大功率耗散 - IPB011N04NGATMA1

这款 MOSFET 专为电气和机械领域的高性能应用而优化。它设计坚固，运行高效，适用于自动化系统。它的最大连续漏极电流为 180 A，最大漏极-源极电压为 40V，可提高电路性能的效率和可靠性。

特点和优势

• 高电流处理能力提高了系统效率和性能

• 低 Rds(on)可减少运行时的功率损耗

• 表面贴装设计便于集成到 PCB 中

• 耗散功率高达 250 瓦，适用于各种应用场合

• 宽泛的工作温度范围确保了在不同环境下的功能性 - N 沟道配置提供了更好的开关特性

应用

• 用于电机控制和驱动系统

• 适用于工业自动化领域的电源管理

• 用于直流-直流转换器和逆变器

• 用于配电系统中的负载开关

• 适用于可再生能源系统，如太阳能逆变器

该器件的最大连续漏极电流是多少？

该器件可处理高达 180A 的连续漏极电流，因此适用于大功率应用。

它能在高温下工作吗？

是的，它的最高工作温度为 +175°C ，可在苛刻的条件下保持稳定的性能。

栅极阈值电压规格是多少？

最大栅极阈值电压为 4V，最小为 2V，为操作兼容性提供了灵活性。

该组件支持哪种安装方式？

该产品专为表面安装而设计，便于直接安装到各种电路板上。

这种 MOSFET 如何提高功率效率？

其 Rds（on）值低至 1.1 mΩ，大大降低了功率损耗，提高了整个电子系统的效率。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 180 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, OptiMOS 3系列