Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 195 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, StrongIRFET系列

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RS 库存编号:
145-9657
制造商零件编号:
IRFB7530PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

195A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

StrongIRFET

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

375W

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

274nC

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

高度

16.51mm

长度

10.67mm

标准/认证

No

宽度

4.83 mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
MX

英飞凌 StrongIRFET 系列 MOSFET，195A 最大连续漏极电流，375W 最大功率耗散 - IRFB7530PBF


这款大电流 N 沟道 MOSFET 专为各种功率应用而设计。其先进的结构使其能够在具有挑战性的环境中实现高效开关和显著性能，因此非常适合自动化和电子行业，因为可靠性和坚固性对电路的有效运行至关重要。

特点和优势


• 最大持续漏极电流 195A

• 工作温度范围宽广，从 -55°C 至 +175°C

• 坚固的雪崩和动态 dV/dt 强度增强了耐用性

• 完全特性化的电容和雪崩 SOA

• 无铅，符合 RoHS 环境安全规定

应用


• 用于有刷电机驱动

• 适用于半桥和全桥拓扑结构

• 适用于同步整流器

• 电池供电电路和 DC/DC 转换器的理想选择

• 从事交流/直流和直流/交流逆变器系统的工作

该元件的最大栅极阈值电压是多少？


最大栅极阈值电压为 3.7V，有利于在各种栅极驱动配置下高效运行。

这种 MOSFET 能否在高温环境中工作？


是的，它能在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内有效工作，适合恶劣条件。

这种 MOSFET 的功耗表现如何？


它的最大功率耗散为 375 W，可确保在大负载条件下提供可靠的性能。

是否适用于直流和交流应用？


该元件设计用途广泛，可在 DC/DC 和 AC/DC 电源转换应用中提供高效性能。

低 RDS(on) 对电路设计有何影响？


低 RDS(on) 可最大限度地减少传导损耗，从而提高整体系统效率，缩小散热器尺寸，改善电路设计的热性能。