Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=75 V, 100 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚

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RS 库存编号:
145-9673
制造商零件编号:
IPP034NE7N3GXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

100 A

最大漏源电压

75 V

封装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

3.4 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.8V

最小栅阈值电压

2.3V

最大功率耗散

214 W

晶体管配置

最大栅源电压

-20 V、+20 V

每片芯片元件数目

1

宽度

4.57mm

长度

10.36mm

典型栅极电荷@Vgs

88 nC @ 10 V

晶体管材料

Si

最高工作温度

+175 °C

高度

15.95mm

系列

OptiMOS 3

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V


OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

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MOSFET 晶体管,Infineon


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