IXYS N沟道增强型MOSFET, Vds=500 V, Id=26 A, 3针, TO-220, HiperFET, Polar3系列

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RS 库存编号:
146-1749
制造商零件编号:
IXFP26N50P3
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

26A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

TO-220

系列

HiperFET, Polar3

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

240mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

42nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

500W

正向电压 Vf

1.4V

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

最高工作温度

150°C

宽度

4.83mm

标准/认证

No

长度

10.66mm

高度

16mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
US

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