IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 12 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, X2-Class系列
- RS 库存编号:
- 146-1786
- 制造商零件编号:
- IXTH12N65X2
- 制造商:
- IXYS
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- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 系列 | X2-Class | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 300 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大功率耗散 | 180 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 17.7 nC @ 10 V | |
| 长度 | 16.24mm | |
| 宽度 | 21.45mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 正向二极管电压 | 1.4V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 5.3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
系列 X2-Class | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 300 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大功率耗散 180 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 17.7 nC @ 10 V | ||
长度 16.24mm | ||
宽度 21.45mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
正向二极管电压 1.4V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 5.3mm | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N 通道功率 MOSFET，IXYS X2 类系列
与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管，适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。
极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）
本质整流器二极管
低本质栅极电阻
低封装电感
工业标准封装
本质整流器二极管
低本质栅极电阻
低封装电感
工业标准封装
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备