IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 34 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, X2-Class系列

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RS 库存编号:
146-1787
制造商零件编号:
IXTH34N65X2
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

34A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-247

系列

X2-Class

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

96mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.4V

最大栅源电压 Vgs

30 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

54nC

最大功耗 Pd

540W

最高工作温度

150°C

高度

5.3mm

宽度

21.45 mm

标准/认证

No

长度

16.24mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
US

N 通道功率 MOSFET,IXYS X2 类系列


与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管,适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。

极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)

本质整流器二极管

低本质栅极电阻

低封装电感

工业标准封装

MOSFET 晶体管,IXYS


IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备