IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 34 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, X2-Class系列
- RS Stock No.:
- 146-1787
- Mfr. Part No.:
- IXTH34N65X2
- Brand:
- IXYS
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Units | Per unit | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB52.311 | RMB1,569.33 |
| 60 - 90 | RMB51.265 | RMB1,537.95 |
| 120 + | RMB49.727 | RMB1,491.81 |
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- Mfr. Part No.:
- IXTH34N65X2
- Brand:
- IXYS
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 34A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | X2-Class | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 96mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 54nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 540W | |
| 正向电压 Vf | 1.4V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 16.24mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 5.3mm | |
| 宽度 | 21.45 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 34A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 X2-Class | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 96mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 54nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 540W | ||
正向电压 Vf 1.4V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 16.24mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 5.3mm | ||
宽度 21.45 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N 通道功率 MOSFET，IXYS X2 类系列
与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管，适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。
极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）
本质整流器二极管
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低封装电感
工业标准封装
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备