onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1 kV, 8 A, TO-3PN, 通孔安装, 3引脚, QFET系列
- RS 库存编号:
- 146-1970
- 制造商零件编号:
- FQA8N100C
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 管，共 30 件）*
¥700.38
(不含税)
¥791.43
(含税)
有限的库存
- 1,170 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB23.346 | RMB700.38 |
| 60 - 90 | RMB22.413 | RMB672.39 |
| 120 + | RMB21.965 | RMB658.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 146-1970
- 制造商零件编号:
- FQA8N100C
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1kV | |
| 系列 | QFET | |
| 包装类型 | TO-3PN | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.45Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 53nC | |
| 最大功耗 Pd | 225W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.4V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 宽度 | 5 mm | |
| 高度 | 18.9mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 1kV | ||
系列 QFET | ||
包装类型 TO-3PN | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.45Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 53nC | ||
最大功耗 Pd 225W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.4V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 15.8mm | ||
宽度 5 mm | ||
高度 18.9mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。