onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 5.5 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, QFET系列

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146-1971
制造商零件编号:
FQP6N80C
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

5.5 A

最大漏源电压

800 V

封装类型

TO-220AB

系列

QFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

2.5 Ω

通道模式

增强

最小栅阈值电压

3V

最大功率耗散

158 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

宽度

4.7mm

长度

10.1mm

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

21 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

高度

9.4mm

最低工作温度

-55 °C

QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。