onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 57 A, PQFN8, 贴片安装, 8引脚, PowerTrench系列
- RS 库存编号:
- 146-4088
- 制造商零件编号:
- FDMC86184
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥126.24
(不含税)
¥142.65
(含税)
有库存
- 1,880 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | RMB12.624 | RMB126.24 |
| 750 - 1490 | RMB12.245 | RMB122.45 |
| 1500 + | RMB11.878 | RMB118.78 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 146-4088
- 制造商零件编号:
- FDMC86184
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 57 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 封装类型 | PQFN8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 8.5 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 54 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 57 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
系列 PowerTrench | ||
封装类型 PQFN8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 8.5 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 54 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V | ||
长度 3.4mm | ||
宽度 3.4mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.75mm | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，ON Semiconductor