IXYS N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=250 V, 80 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IXFH80N25X3, HiperFET系列
- RS 库存编号:
- 146-4232
- 制造商零件编号:
- IXFH80N25X3
- 制造商:
- IXYS
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- 制造商零件编号:
- IXFH80N25X3
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | HiperFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 16mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.4V | |
| 最大功耗 Pd | 390W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 83nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5.3 mm | |
| 长度 | 16.24mm | |
| 高度 | 21.45mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 HiperFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 16mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.4V | ||
最大功耗 Pd 390W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 83nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5.3 mm | ||
长度 16.24mm | ||
高度 21.45mm | ||
汽车标准 否 | ||
最低接通电阻 RDS（接通）和栅极电荷 Qg
快速软恢复体二极管，dv/dt 稳定
卓越的耐雪崩能力
国际标准封装
电池充电器，用于轻型电动车辆
开关电源的同步整流
电动机控制
直流 - 直流转换器
不间断电源
电动叉车
D 类音频放大器
电信系统
高效率
高功率密度
提高系统可靠性
易于设计
200 MHz/330 DMIPS、MIPS32 microAptiv 内核
双面板闪存，用于实时更新支持
12 位、18 MSPS、45 通道 ADC 模块
存储器管理单元，实现最佳的嵌入式操作系统执行
microMIPS 模式，实现高达 35% 的代码压缩
CAN、UART、I2C、PMP、EBI、SQI 以及模拟比较器
SPI/I2S 接口，用于音频处理和播放
高速 USB 设备/主机/OTG
10/100 Mbps 以太网 MAC，带 MII 和 RMII 接口
高级内存保护
2MB 闪存（以及额外的 160 KB 启动闪存）
640KB SRAM 存储