IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=250 V, 80 A, TO-220, 通孔安装, 4引脚, IXFP80N25X3, HiperFET系列

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146-4233
Mfr. Part No.:
IXFP80N25X3
Brand:
IXYS
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品牌

IXYS

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

80A

最大漏源电压 Vd

250V

包装类型

TO-220

系列

HiperFET

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

16mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

83nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

390W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.4V

最高工作温度

150°C

宽度

4.83 mm

标准/认证

No

高度

16mm

长度

10.66mm

汽车标准

IXYS 公司(NASDAQ:IXYS)是全球功率半导体和集成电路 (IC) 制造商,用于能源效率、电源管理、运输、医疗和电动机控制应用,该公司推出了新功率半导体产品系列:250V 超结 X3 类 HiPerFET™ 功率 MOSFET。接通电阻和栅极电荷分别低至 4.5 毫欧姆和 21 纳米库仑,这些设备可在各种高速功率转换应用中实现最高功率密度和高能源效率。采用充电补偿原理和专有工艺技术开发而成,该新型 MOSFET 提供同类最佳的品质因数(接通电阻乘以栅极电荷),这可转换为最低传导和切换损耗。它们具有行业最低的接通电阻(例如 TO-264 封装 5 毫欧姆,SOT-227 封装 4.5 毫欧姆)。MOSFET 的快速本征体二极管 HiPerFET™ 显示非常软的恢复特性,最大程度减少电压过冲和电磁干扰 (EMI),尤其是在半桥或全桥拓扑中。具有低反向恢复电荷和时间,该二极管能够在高速切换期间消除所有的剩余能量,以避免设备故障,实现高效率。此外,这些新设备还具有耐雪崩能力以及出色的 dv/dt 性能。它们可有效防止电压尖峰和 MOSFET 结构中固有寄生双极晶体管意外打开引起的设备故障。因此,这些坚固耐用的设备需要更少的减震器,可用于硬和软切换电源转换器。非常适合的应用包括:轻型电动车辆 (LEV) 的电池充电器、开关电源的同步整流、电动机控制、直流-直流转换器、不间断电源、电动叉车、D 类音频放大器和电信系统。这些带 HiPerFET™ 主体二极管的新型 250V X3 类功率 MOSFET 采用以下国际标准尺寸封装:TO-3P、TO-220(整体浇铸或标准)、TO-247、PLUS247、TO-252、TO-263、TO-264、TO-268HV、SOT-227。一些示例部件号包括 IXFA60N25X3、IXFP80N25X3、IXFT170N25X3HV 和 IXFK240N25X3,额定电流分别为 60A、80A、170A 和 240A。

最低接通电阻 RDS(接通)和栅极电荷 Qg

快速软恢复体二极管,dv/dt 稳定

卓越的耐雪崩能力

国际标准封装

电池充电器,用于轻型电动车辆

开关电源的同步整流

电动机控制

直流 - 直流转换器

不间断电源

电动叉车

D 类音频放大器

电信系统

高效率

高功率密度

提高系统可靠性

易于设计