IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 60 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IXFH60N65X2, HiperFET系列

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RS 库存编号:
146-4234
制造商零件编号:
IXFH60N65X2
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

HiperFET

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

52mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

780W

最大栅源电压 Vgs

±30 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

108nC

正向电压 Vf

1.4V

最高工作温度

150°C

宽度

5.21 mm

标准/认证

No

长度

16.13mm

高度

21.34mm

汽车标准

低 R 和 Q

雪崩等级

低封装电感

优势

高功率密度

安装简便

节省空间

应用

开关模式和谐振模式电源

直流 - 直流转换器

PFC 电路

交流和直流电动机驱动器

机器人和伺服控制