IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 60 A, TO-268, 表面安装, 3引脚, IXFT60N65X2HV, HiperFET系列
- RS 库存编号:
- 146-4235
- 制造商零件编号:
- IXFT60N65X2HV
- 制造商:
- IXYS
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB58.906 | RMB1,767.18 |
| 60 - 90 | RMB57.139 | RMB1,714.17 |
| 120 + | RMB55.425 | RMB1,662.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 146-4235
- 制造商零件编号:
- IXFT60N65X2HV
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-268 | |
| 系列 | HiperFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 52mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | 1.4V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 108nC | |
| 最大功耗 Pd | 780W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 长度 | 16.05mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 15.15 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-268 | ||
系列 HiperFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 52mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf 1.4V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 108nC | ||
最大功耗 Pd 780W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 5.1mm | ||
长度 16.05mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 15.15 mm | ||
汽车标准 否 | ||
低 RDS（接通）和 Qg
快速体二极管
dv/dt 稳定
雪崩等级
低封装电感
国际标准封装
谐振模式电源
高强度放电 (HID) 灯镇流器
交流和直流电动机驱动器
直流 - 直流转换器
机器人和伺服控制
电池充电器
3 级太阳能逆变器
LED 照明
无人机 (UAV)
效率更高
高功率密度
安装简便
节省空间