IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 170 A, SOT-227, 表面安装, 4引脚, IXFN170N65X2, HiperFET系列

IXYS 公司（NASDAQ：IXYS）是全球功率半导体和集成电路 (IC) 制造商，用于能源效率、电源管理、运输、医疗和电动机控制应用，该公司推出超结功率 MOSFET 产品系列的扩展产品：650V X2 类功率 MOSFET，带快速体二极管。具有低至 17 毫欧姆的接通电阻和 22A 至 150A 的额定电流范围，这些设备经优化处理可用于软切换谐振模式电源转换应用。MOSFET 的本征快速体二极管 HiPerFETs™ 显示非常软的恢复特性，最大程度减少电磁干扰 (EMI)，尤其是在半或全桥切换拓扑中。具有低反向恢复电荷和时间，可以利用主体二极管确保在高速切换期间消除所有能量，以避免设备故障并实现高效率。像 IXYS 其他超结 MOSFET 一样，这些新设备采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发而成，从而使功率 MOSFET 显著降低接通电阻和栅极电荷。它们还具有出色的 dv/dt 性能和雪崩等级。由于其通态电阻的正温度系数，它们可以并联运行以满足更高的电流要求。适合的应用包括：谐振模式电源、高强度放电 (HID) 灯镇流器、交流和直流电动机驱动器、直流-直流转换器、机器人和伺服控制、电池充电器、3 级太阳能逆变器以及 LED 照明。这些带 HiPerFET™ 主体二极管的新型 650V X2 功率 MOSFET 提供以下国际标准尺寸封装：TO-220、TO-263、SOT-227、TO-247、PLUS247、TO-264 和 PLUS264。一些示例部件号包括 IXFA22N65X2、IXFH46N65X2、IXFK120N65X2 和 IXFN150N65X2，额定漏极电流分别为 22A、34A、120A 和 145A。

低 RDS（接通）和 Qg