IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=850 V, 66 A, PLUS247, 通孔安装, 3引脚, HiperFET系列
- RS 库存编号:
- 146-4245
- 制造商零件编号:
- IXFX66N85X
- 制造商:
- IXYS
不可供应
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- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 66 A | |
| 最大漏源电压 | 850 V | |
| 封装类型 | PLUS247 | |
| 系列 | HiperFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 65 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最大功率耗散 | 1.25 kW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 宽度 | 5.21mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 230 nC @ 10 V | |
| 高度 | 21.34mm | |
| 正向二极管电压 | 1.4V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 66 A | ||
最大漏源电压 850 V | ||
封装类型 PLUS247 | ||
系列 HiperFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 65 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5.5V | ||
最小栅阈值电压 3.5V | ||
最大功率耗散 1.25 kW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±30 V | ||
宽度 5.21mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 16.13mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 230 nC @ 10 V | ||
高度 21.34mm | ||
正向二极管电压 1.4V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
850V 超结 X 类功率 MOSFET，具有快速体二极管，代表 IXYS 公司新推出的功率半导体产品系列。这些坚固耐用的设备具有行业内最低通态电阻，在高压功率转换应用中实现非常高的功率密度。采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发而成，全新的 850V 设备具有最低通态电阻（例如，SOT-227 封装为 33 毫欧，PLUS264 为 41 毫欧），并具有低栅极电荷和卓越的 dv/dt 性能。
超低接通电阻 RDS（接通）和栅极电荷 Qg
快速体二极管
dv/dt 稳定
雪崩等级
低封装电感
国际标准封装
快速体二极管
dv/dt 稳定
雪崩等级
低封装电感
国际标准封装