IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=850 V, 110 A, SOT-227, 表面安装, 4引脚, HiperFET系列
- RS 库存编号:
- 146-4396
- Distrelec 货号:
- 302-53-360
- 制造商零件编号:
- IXFN110N85X
- 制造商:
- IXYS
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- 制造商零件编号:
- IXFN110N85X
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 110A | |
| 最大漏源电压 Vd | 850V | |
| 系列 | HiperFET | |
| 包装类型 | SOT-227 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 33mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 1.17kW | |
| 正向电压 Vf | 1.4V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 425nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 38.23mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 25.07 mm | |
| 高度 | 9.6mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 110A | ||
最大漏源电压 Vd 850V | ||
系列 HiperFET | ||
包装类型 SOT-227 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 33mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 1.17kW | ||
正向电压 Vf 1.4V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 425nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 38.23mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 25.07 mm | ||
高度 9.6mm | ||
汽车标准 否 | ||
850V 超结 X 类功率 MOSFET，具有快速体二极管，代表 IXYS 公司新推出的功率半导体产品系列。这些坚固耐用的设备具有行业内最低通态电阻，在高压功率转换应用中实现非常高的功率密度。采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发而成，全新的 850V 设备具有最低通态电阻（例如，SOT-227 封装为 33 毫欧，PLUS264 为 41 毫欧），并具有低栅极电荷和卓越的 dv/dt 性能。
超低接通电阻 RDS（接通）和栅极电荷 Qg
快速体二极管
dv/dt 稳定
雪崩等级
低封装电感
国际标准封装