Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=500 V, Id=2.4 A, 3针, IPAK, IRFU420系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 卷，共 3000 件）*

RMB12,423.00

(不含税)

RMB14,037.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年5月10日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每卷*
3000 - 3000RMB4.141RMB12,423.00
6000 - 9000RMB4.058RMB12,174.00
12000 +RMB3.936RMB11,808.00

* 参考价格

RS 库存编号:
146-4434
制造商零件编号:
IRFU420PBF
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2.4A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

IPAK

系列

IRFU420

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

42W

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19nC

正向电压 Vf

1.6V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

长度

6.73mm

高度

2.39mm

宽度

6.22mm

汽车标准

否

Vishay IRFU420 系列功率 MOSFET，最大漏源电压 500V，最大功耗 42W - IRFU420PBF


这款功率 MOSFET 是一款高压 N 沟道晶体管，专为在严苛的电子系统中切换和控制功率而设计。它作为一种增强型器件工作，适用于表面贴装组装，并符合RoHS环保标准。该元件适用于需要高阻断电压、中等电流处理能力并能适应较高工作温度的电路。

特性和优点：


• 500V 漏源额定值可实现高压开关
• 3Ω 导通电阻，可实现可预测的导通损耗控制
• 2.4A持续漏极电流，支持中等负载应用
• 42W最大功耗，可承受较大的热吞吐量
• 在 Vgs 条件下，19nC典型栅极电荷可实现可预测的开关能量
• ±20V栅源耐压，支持灵活的驱动电压

应用


• 适用于高压电源开关级应用
• 适用于工业电机驱动栅极级应用
• 在高温环境中与DCDC转换器配合使用
• 可用于电子负载和保护电路
• 适用于SMPS和电源管理模块

它在运行时能承受的温度范围是多少？


其指定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在温差较大的环境中使用。

组装时应考虑哪种封装形式？


该器件采用IPAK表面贴装封装，配置三个引脚，便于电路板安装。

正向电压对低压运行有何影响？


1.6V 的正向电压表明该器件在正向偏置条件下具有导通特性，并能影响低压电路中的导通压降。

该元件是否用于汽车应用？


它未通过汽车行业标准认证，因此在汽车系统中使用之前，应根据车辆特定的资格要求进行评测。

相关链接