Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=500 V, 2.4 A, IPAK, 表面安装, 3引脚, IRFU420系列

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146-4434
制造商零件编号:
IRFU420PBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

2.4A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

IPAK

系列

IRFU420

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19nC

正向电压 Vf

1.6V

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

42W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

高度

2.39mm

标准/认证

RoHS

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

汽车标准

Vishay IRFU420 系列功率 MOSFET,500 V 最大漏源电压,2.4 A 最大连续漏电流 - IRFU420PBF


此功率 MOSFET 是高电压开关晶体管,设计用于工业系统中的表面安装功率转换和控制任务。它作为 N 通道增强模式设备运行,适用于需要高排放源电压处理和中等连续电流的应用,采用 IPAK 3 引脚封装,专为紧凑型板级集成而设计。

特性和优点:


• 500 V 漏源耐受性,具有高电压开关能力 • 3 Ω RDS(on),用于可预测的接通状态传导损耗 • 2.4 A 连续漏电流,可实现持久负载运行 • 19 nC 典型栅极电荷,有助于开关能量估计 • 42W 最大功耗,用于热设计 • -55°C 至 150°C 工作温度范围,适用于宽热环境

应用


• 适用于工业电机驱动栅极开关级 • 特别适用于高电压开关模式电源 • 用于线路电压保护和缓冲电路 • 可用于自动化控制继电器和驱动器

在设计过程中,应遵守哪些栅极电压限制?


与源相比,栅极偏移保持在 ±20 V 内,以防止栅极氧化过度应力并确保长期开关可靠性。

如何管理PCB上的热限制?


使用足够的铜面积和热通道,可耗散高达 42 W 的功率,并评估接点与环境的电阻,以实现您的冷却策略。

栅极充电带来了哪些开关性能考虑因素?


围绕 19 nC 栅极电荷值进行预算驱动电流和压向速率,以控制转换期间的开关损耗和电磁排放。

是否有具体的安装建议,确保可靠运行?


作为表面贴装 IPAK 设备,确保牢固的焊接接头和适当的散热足迹,以保持温度在 -55 °C 至 150 °C 工作范围内。