ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 35 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 150-1512
- 制造商零件编号:
- R6035ENZ1C9
- 制造商:
- ROHM
不可供应
RS 不再对该产品备货。
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- R6035ENZ1C9
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 35 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 200 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 120 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5.21mm | |
| 高度 | 21.34mm | |
| 正向二极管电压 | 1.5V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 35 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 200 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 120 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V | ||
长度 16.13mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5.21mm | ||
高度 21.34mm | ||
正向二极管电压 1.5V | ||
低接通电阻
快速切换速度
栅源电压 (VGSS) 保证达到 ±30V
可简单驱动电路
易于并行使用
无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
快速切换速度
栅源电压 (VGSS) 保证达到 ±30V
可简单驱动电路
易于并行使用
无铅引线电镀，符合 RoHS 标准