ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 72 A, TO-247N, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 150-1534
- 制造商零件编号:
- SCT3030KLGC11
- 制造商:
- 罗姆
不可供应
RS 不再对该产品备货。
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- 150-1534
- 制造商零件编号:
- SCT3030KLGC11
- 制造商:
- 罗姆
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | 罗姆 | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 72 A | |
| 最大漏源电压 | 1200 V | |
| 封装类型 | TO-247N | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 45 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5.6V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.7V | |
| 最大功率耗散 | 262 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | 22 V | |
| 宽度 | 5mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 131 nC @ 18 V | |
| 长度 | 16mm | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 高度 | 21mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 罗姆 | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 72 A | ||
最大漏源电压 1200 V | ||
封装类型 TO-247N | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 45 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5.6V | ||
最小栅阈值电压 2.7V | ||
最大功率耗散 262 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 22 V | ||
宽度 5mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 131 nC @ 18 V | ||
长度 16mm | ||
晶体管材料 SiC | ||
高度 21mm | ||
低接通电阻,快速切换速度,快速反向恢复,易于并行且易于驱动,无铅引线电镀,符合 RoHS 标准
