Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 3.1 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 151-3050
- 制造商零件编号:
- PMV55ENEAR
- 制造商:
- Nexperia
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-3050
- 制造商零件编号:
- PMV55ENEAR
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3.1 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 120 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.7V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最大功率耗散 | 8.36 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | 20 V | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12.7 nc @ 10 v | |
| 长度 | 3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 1mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3.1 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 120 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.7V | ||
最小栅阈值电压 1.3V | ||
最大功率耗散 8.36 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 20 V | ||
宽度 1.4mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 12.7 nc @ 10 v | ||
长度 3mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 1mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
汽车级 MOSFET，世界上最大的符合 AEC-Q101 标准的功率 MOSFET 产品组合，对汽车系统要求和专注技术能力的深入了解，使 Nexperia 能够在广泛的应用中提供功率半导体解决方案。从驱动简单的车灯到发动机、车身或底盘应用中功率控制的复杂需求，Nexperia 功率半导体可以解决许多汽车系统的功率问题。
符合 AEC-Q101 标准
重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175°C，适用于对热量要求苛刻的环境
重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175°C，适用于对热量要求苛刻的环境
60 V，N 通道 Trench MOSFET，N 通道增强模式场效应晶体管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
逻辑电平兼容
超快切换
Trench MOSFET 技术
静电放电 (ESD) 保护：> 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
超快切换
Trench MOSFET 技术
静电放电 (ESD) 保护：> 2 kV HBM
符合 AEC-Q101