Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 2.8 A, DFN, 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 151-3071
- 制造商零件编号:
- PMPB215ENEAX
- 制造商:
- Nexperia
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-3071
- 制造商零件编号:
- PMPB215ENEAX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 445mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 15.6W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 2.1mm | |
| 宽度 | 2.1 mm | |
| 高度 | 0.65mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 2.8A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 DFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 445mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 15.6W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.8nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 2.1mm | ||
宽度 2.1 mm | ||
高度 0.65mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
80 V，单个 N 通道 Trench MOSFET，N 通道增强模式场效应晶体管 (FET) 采用无引线中等功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
Trench MOSFET 技术
小型无引线超薄型 SMD 塑料封装：2 x 2 x 0.65 mm
裸露的散热垫，用于提供极佳的热传导
100% 镀锡可焊接侧垫，用于光学焊接检验
符合 AEC-Q101