Nexperia P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=-20 V, -3.3 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, PMV65XPEAR
- RS 库存编号:
- 151-3159P
- 制造商零件编号:
- PMV65XPEAR
- 制造商:
- Nexperia
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- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -3.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | -20V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 125mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 6.25W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -3.3A | ||
最大漏源电压 Vd -20V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 125mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 6.25W | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3mm | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 1.4 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
汽车级 MOSFET，世界上最大的符合 AEC-Q101 标准的功率 MOSFET 产品组合，对汽车系统要求和专注技术能力的深入了解，使 Nexperia 能够在广泛的应用中提供功率半导体解决方案。从驱动简单的车灯到发动机、车身或底盘应用中功率控制的复杂需求，Nexperia 功率半导体可以解决许多汽车系统的功率问题。
汽车级 MOSFET，世界上最大的符合 AEC-Q101 标准的功率 MOSFET 产品组合，对汽车系统要求和专注技术能力的深入了解，使 Nexperia 能够在广泛的应用中提供功率半导体解决方案。从驱动简单的车灯到发动机、车身或底盘应用中功率控制的复杂需求，Nexperia 功率半导体可以解决许多汽车系统的功率问题。
符合 AEC-Q101 标准
重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175°C，适用于对热量要求苛刻的环境
符合 AEC-Q101 标准
重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175°C，适用于对热量要求苛刻的环境
20 V，P 通道 Trench MOSFET，P 通道增强模式场效应晶体管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
20 V，P 通道 Trench MOSFET，P 通道增强模式场效应晶体管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
Trench MOSFET 技术
超快切换
增强型功耗能力：Ptot = 890 mW
静电放电 (ESD) 保护 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
Trench MOSFET 技术
超快切换
增强型功耗能力：Ptot = 890 mW
静电放电 (ESD) 保护 2 kV HBM
符合 AEC-Q101