Nexperia N型沟道增强型 MOSFET, Vds=20 V, 600 mA, DFN, 表面安装, 8引脚, PMDXB600UNEZ

RS 库存编号:: 151-3178
制造商零件编号:: PMDXB600UNEZ
制造商:: Nexperia

Nexperia N型沟道增强型 MOSFET, Vds=20 V, 600 mA, DFN, 表面安装, 8引脚, PMDXB600UNEZ

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RS 库存编号:: 151-3178
制造商零件编号:: PMDXB600UNEZ
制造商:: Nexperia

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Nexperia
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	600mA
	最大漏源电压 Vd	20V
	包装类型	DFN
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	3Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	0.4nC
	最大栅源电压 Vgs	8 V
	最大功耗 Pd	4.03W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	长度	1.15mm
	高度	0.4mm
	宽度	1.05 mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Nexperia
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 600mA
	最大漏源电压 Vd 20V
	包装类型 DFN
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 3Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.4nC
	最大栅源电压 Vgs 8 V
	最大功耗 Pd 4.03W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	长度 1.15mm
	高度 0.4mm
	宽度 1.05 mm
	汽车标准否

N 通道 MOSFET ≤ 20 V，为您的便携式设计提供最佳开关解决方案，多种高达 20 V 的单和双 N 通道 MOSFET 可供选择。由于我们值得信赖的 TrenchMOS 和封装技术而具有出色的可靠性。易于使用，我们的低电压 MOSFET 专门设计用于满足具有低驱动电压的便携式应用的要求。

20 V，双 N 通道 Trench MOSFET，双 N 通道增强模式场效应晶体管 (FET) 采用无引线超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。

Trench MOSFET 技术

无引线超小型和超薄型 SMD 塑料封装：1.1 x 1.0 x 0.37 mm

裸露的散热垫，用于提供极佳的热传导

静电放电 (ESD) 保护：> 1 kV HBM

漏-源通态电阻 RDSon = 470 mΩ