Nexperia P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 2.4 A, DFN1010D-3，SOT1215, 贴片安装, 4引脚
- RS 库存编号:
- 151-3227
- 制造商零件编号:
- PMXB120EPEZ
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 1225 | RMB2.154 | RMB53.85 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-3227
- 制造商零件编号:
- PMXB120EPEZ
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 2.4 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | DFN1010D-3，SOT1215 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 187 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | -2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | -1V | |
| 最大功率耗散 | 8.33 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | 20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.2 nC @ 10 V | |
| 长度 | 1.15mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.05mm | |
| 高度 | 0.36mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 2.4 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 DFN1010D-3，SOT1215 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 187 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 -2.5V | ||
最小栅阈值电压 -1V | ||
最大功率耗散 8.33 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.2 nC @ 10 V | ||
长度 1.15mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.05mm | ||
高度 0.36mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
当 N 通道不适合您的设计时，P 通道 MOSFET 将会特别适合您的设计，我们广泛的 MOSFET 产品目录还包括许多 P 通道设备系列，基于 Nexperia 的领先 Trench 技术。额定电压范围为 12 V 到 70 V，采用中低功率封装，提供我们熟悉的高效率和高可靠性。
30 V，P 通道 Trench MOSFET，P 通道增强模式场效应晶体管 (FET) 采用无引线超小型 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
Trench MOSFET 技术
无引线超小型和超薄型 SMD 塑料封装：1.1 x 1.0 x 0.37 mm
裸露的散热垫，用于提供极佳的热传导
静电放电 (ESD) 保护 1 kV HBM
漏-源通态电阻 RDSon = 350 mΩ
无引线超小型和超薄型 SMD 塑料封装：1.1 x 1.0 x 0.37 mm
裸露的散热垫，用于提供极佳的热传导
静电放电 (ESD) 保护 1 kV HBM
漏-源通态电阻 RDSon = 350 mΩ