Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 100 A, TO-220, 表面安装, 4引脚

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RS 库存编号:
151-3382
制造商零件编号:
PSMN2R8-40PS,127
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-220

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

5.6mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

71nC

最大功耗 Pd

211W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

宽度

9.4 mm

长度

10.3mm

高度

4.7mm

标准/认证

No

汽车标准

N 沟道 MOSFET 40 V - 60 V,逻辑电平和标准电平 MOSFET 采用封装有所不同。这部分坚固耐用且易于使用的 MOSFET 电压范围为 40 V 至 60 V,是众多 MOSFET 器件产品系列的一部分。它们特别适合对空间和功率要求严苛的应用,提供极佳的开关性能和领先同类产品的安全工作区 (SOA)。

N 沟道 TO220 40 V 2.8 mΩ 标准电平 MOSFET,标准电平 N 沟道 MOSFET 采用 TO220 封装,额定温度达到 175 °C。此产品设计合格,适用于各种工业、通信和家用设备。

由于开关和传导损耗低,因此效率高

坚固结构,用于要求苛刻的应用

标准电平栅极

直流 - 直流转换器

负载开关

电动机控制

服务器电源