Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 76 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN8R5-60YS,115
- RS 库存编号:
- 152-5537
- 制造商零件编号:
- PSMN8R5-60YS,115
- 制造商:
- Nexperia
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 152-5537
- 制造商零件编号:
- PSMN8R5-60YS,115
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 76A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 18.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 39nC | |
| 最大功耗 Pd | 106W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 宽度 | 4.1 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 76A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 LFPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 18.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 39nC | ||
最大功耗 Pd 106W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.05mm | ||
宽度 4.1 mm | ||
汽车标准 否 | ||
N 沟道 MOSFET 40 V - 60 V，逻辑电平和标准电平 MOSFET 采用封装有所不同。这部分坚固耐用且易于使用的 MOSFET 电压范围为 40 V 至 60 V，是众多 MOSFET 器件产品系列的一部分。它们特别适合对空间和功率要求严苛的应用，提供极佳的开关性能和领先同类产品的安全工作区 (SOA)。
N 沟道 MOSFET 40 V - 60 V，逻辑电平和标准电平 MOSFET 采用封装有所不同。这部分坚固耐用且易于使用的 MOSFET 电压范围为 40 V 至 60 V，是众多 MOSFET 器件产品系列的一部分。它们特别适合对空间和功率要求严苛的应用，提供极佳的开关性能和领先同类产品的安全工作区 (SOA)。
N 沟道 LFPAK 60 V，8 mΩ 标准电平 MOSFET，标准电平 N 沟道 MOSFET 采用 LFPAK 封装，额定温度达到 175 °C。此产品设计合格，适用于各种工业、通信和家用设备。
N 沟道 LFPAK 60 V，8 mΩ 标准电平 MOSFET，标准电平 N 沟道 MOSFET 采用 LFPAK 封装，额定温度达到 175 °C。此产品设计合格，适用于各种工业、通信和家用设备。
先进的 TrenchMOS 技术提供低 RDSon 和低栅极电荷
在开关功率转换器中具有高效率增益
经改进的机械性能和热特性
LFPAK 提供最大功率密度，采用 Power SO8 封装
直流 - 直流转换器
锂离子电池保护
负载开关
电动机控制
服务器电源
先进的 TrenchMOS 技术提供低 RDSon 和低栅极电荷
在开关功率转换器中具有高效率增益
经改进的机械性能和热特性
LFPAK 提供最大功率密度，采用 Power SO8 封装
直流 - 直流转换器
锂离子电池保护
负载开关
电动机控制
服务器电源