Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=61 A, 4针, LFPAK
- RS 库存编号:
- 152-5575P
- 制造商零件编号:
- PSMN011-60MSX
- 制造商:
- Nexperia
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- 制造商零件编号:
- PSMN011-60MSX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 61A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 24.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 91W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 2.7mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 900μm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 61A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 LFPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 24.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 91W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 2.7mm | ||
长度 3.4mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 900μm | ||
汽车标准 否 | ||
N 沟道 MOSFET 40 V - 60 V，逻辑电平和标准电平 MOSFET 采用封装有所不同。这部分坚固耐用且易于使用的 MOSFET 电压范围为 40 V 至 60 V，是众多 MOSFET 器件产品系列的一部分。它们特别适合对空间和功率要求严苛的应用，提供极佳的开关性能和领先同类产品的安全工作区 (SOA)。
N 沟道 60 V 11.3 mΩ 标准电平 MOSFET 采用 LFPAK33 封装，标准电平增强型 N 沟道 MOSFET 采用 LFPAK33 封装。此产品设计合格，适用于各种工业、通信和家用设备。
由于开关和传导损耗低，因此效率高
适用于标准电平栅极驱动源
LFPAK33 封装与其他 3.3mm 类型印迹兼容
额定温度达到 175 °C
交流 - 直流转换器
同步整流
直流 - 直流转换器