Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=20 V, 2.9 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2302DDS-T1-GE3, TrenchFET系列

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制造商零件编号:
SI2302DDS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2.9A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

TrenchFET

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.075Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±8 V

最大功耗 Pd

0.86W

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

3.5nC

最高工作温度

150°C

长度

3.04mm

高度

1.02mm

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS

宽度

1.4 mm

汽车标准

无卤

TrenchFET® 功率 MOSFET

通过 100 % Rg 测试

应用

负载开关,用于便携式设备

直流/直流转换器

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。