Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 4.6 A, SOT-23, 表面安装, 6引脚, SI3476DV-T1-GE3, Si3476DV系列

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制造商零件编号:
SI3476DV-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

4.6A

最大漏源电压 Vd

80V

系列

Si3476DV

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

0.093Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.9nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最大功耗 Pd

3.6W

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

高度

1mm

宽度

1.7 mm

标准/认证

No

长度

3.1mm

汽车标准

TrenchFET® 功率 MOSFET

材料分类:

应用

负载开关,用于便携式应用

LED 背光开关

直流/直流转换器

升压转换器