Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 2.8 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 152-6376P
- 制造商零件编号:
- SQ2361ES-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|
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- 152-6376P
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- SQ2361ES-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 2.8 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 320 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | -2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | -1.5V | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | 20 V | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 正向二极管电压 | -1.2V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 2.8 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 320 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 -2.5V | ||
最小栅阈值电压 -1.5V | ||
最大功率耗散 2 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 20 V | ||
宽度 1.4mm | ||
长度 3.04mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 9 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
高度 1.02mm | ||
正向二极管电压 -1.2V | ||
TrenchFET® 功率 MOSFET
材料分类
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