Nexperia , 2 P型沟道 双 增强型 沟槽 MOSFET, Vds=-20 V, 500 mA, DFN, 表面安装, 8引脚, Trench MOSFET系列
- RS 库存编号:
- 152-7150
- 制造商零件编号:
- PMDXB950UPELZ
- 制造商:
- Nexperia
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- 152-7150
- 制造商零件编号:
- PMDXB950UPELZ
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | 沟槽 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 500mA | |
| 最大漏源电压 Vd | -20V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 系列 | Trench MOSFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 4025mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.19nC | |
| 最低工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | -55°C | |
| 高度 | 0.36mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.05 mm | |
| 长度 | 1.15mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 沟槽 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 500mA | ||
最大漏源电压 Vd -20V | ||
包装类型 DFN | ||
系列 Trench MOSFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 4025mW | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.19nC | ||
最低工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 -55°C | ||
高度 0.36mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.05 mm | ||
长度 1.15mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
当 N 沟道不适合您的设计时，P 沟道 MOSFET 将会特别适合您的设计，我们广泛的 MOSFET 产品目录还包括许多 P 沟道设备系列，基于 Nexperia 的领先 Trench 技术。额定电压范围为 12 V 到 70 V，采用中低功率封装，提供我们熟悉的高效率和高可靠性。
20 V，双 P 沟道 Trench MOSFET，双 P 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用无引线超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
低漏泄电流
Trench MOSFET 技术
无引线超小型和超薄型 SMD 塑料封装：1.1 x 1.0 x 0.37 mm
裸露的散热垫，用于提供极佳的热传导
静电放电 (ESD) 保护：> 1 kV HBM
漏-源导通电阻 RDSon = 1.02 Ω
继电器驱动器
高速线路驱动器
高侧负载开关
开关电路