Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 26 A, LFPAK, 表面安装, 4引脚, BUK9M3580E系列
- RS 库存编号:
- 152-7741
- 制造商零件编号:
- BUK9M35-80EX
- 制造商:
- Nexperia
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- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 26A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | BUK9M3580E | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 88mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 62W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 15 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 2.6 mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 26A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 BUK9M3580E | ||
包装类型 LFPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 88mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13.5nC | ||
最大功耗 Pd 62W | ||
最大栅源电压 Vgs 15 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 2.6 mm | ||
长度 3.4mm | ||
高度 0.9mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
N 沟道 80 V，35 mΩ 逻辑电平 MOSFET 采用 LFPAK33 封装，逻辑电平 N 沟道 MOSFET 采用 LFPAK33 (Power33) 封装，使用 TrenchMOS 技术。此产品经过设计符合 AEC Q101 标准，可用于高性能汽车应用。
符合 Q101 标准
重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175 °C，适用于对热量要求苛刻的环境
逻辑高电平驱动，在 175 °C 时，栅极 VGS(th) 额定值大于 0.5 V
12 V、24 V 和 48 V 汽车系统
电动机、灯和电磁阀控制
传输控制
超高性能功率开关