Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 1 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 153-0676P
- 制造商零件编号:
- PMV280ENEAR
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 153-0676P
- 制造商零件编号:
- PMV280ENEAR
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 892mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3mm | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 892mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 5W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.5nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3mm | ||
宽度 1.4 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
75 V - 200 V N 沟道 MOSFET，您现在已经迈进世界一流的标准 MOS 产品系列，正寻找 75 V 至 200 V 范围内的高可靠性 MOSFET 来简化设计？我们的器件特别适合对空间和功率要求严苛的应用，提供极佳的开关性能和领先同类产品的安全工作区 (SOA)。例如，我们的 LFPAK 功率 MOSFET 系列具有超低 RDSon、高速开关和高达 200 V 的电压额定值。
100 V，N 沟道 Trench MOSFET，N 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
逻辑电平兼容
超快切换
Trench MOSFET 技术
静电放电 (ESD) 保护：> 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路