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选择全部	属性	值
	品牌	Nexperia
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	3.2 A
	最大漏源电压	30 V
	封装类型	DFN1010D-3, SOT1215
	安装类型	贴片
	引脚数目	4
	最大漏源电阻值	107 mΩ
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	2V
	最小栅阈值电压	1V
	最大功率耗散	8.33 W
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	20 V
	宽度	1.05mm
	典型栅极电荷@Vgs	6 nC @ 10 V
	长度	1.15mm
	每片芯片元件数目	3
	最高工作温度	+150 °C
	高度	0.36mm
	最低工作温度	-55 °C

	选择全部
	品牌 Nexperia
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 3.2 A
	最大漏源电压 30 V
	封装类型 DFN1010D-3, SOT1215
	安装类型贴片
	引脚数目 4
	最大漏源电阻值 107 mΩ
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 2V
	最小栅阈值电压 1V
	最大功率耗散 8.33 W
	晶体管配置单
	最大栅源电压 20 V
	宽度 1.05mm
	典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 10 V
	长度 1.15mm
	每片芯片元件数目 3
	最高工作温度 +150 °C
	高度 0.36mm
	最低工作温度 -55 °C

N 沟道 MOSFET 25 V - 30 V，凭借先进的技术知识，提供可靠的性能，易于使用的 MOSFET 具有 25 V 至 30 V 的电压范围。特别适用于对空间和功率要求严苛的应用，它们提供极佳的切换性能和同类领先的安全工作区 (SOA)。需要不同的额定电压？查看我们丰富产品组合的其余部分以获得更多选择。

30 V，N 沟道 Trench MOSFET，N 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用无引线超小型 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。

Trench MOSFET 技术
无引线超小型和薄型 SMD 塑料封装：1.1 x 1.0 x 0.37 mm
裸露的散热垫，用于提供极佳的热传导
静电放电 (ESD) 保护 1 kV
超低漏-源导通电阻 RDSon = 44 mΩ
低侧负载开关和充电开关，用于便携式设备
电池驱动便携式设备的电源管理
LED 驱动器
直流 - 直流转换器

Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 3.2 A, DFN1010D-3, SOT1215, 贴片安装, 4引脚