Nexperia , 1 N型沟道 单 增强型 MOSFET, DFN, 4引脚, PMXB43UNEZ
- RS 库存编号:
- 153-0741
- 制造商零件编号:
- PMXB43UNEZ
- 制造商:
- Nexperia
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 153-0741
- 制造商零件编号:
- PMXB43UNEZ
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 包装类型 | DFN | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 1.15mm | |
| 宽度 | 1.05 mm | |
| 高度 | 0.36mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
包装类型 DFN | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 1.15mm | ||
宽度 1.05 mm | ||
高度 0.36mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
N 沟道 MOSFET ≤ 20 V，为您的便携式设计提供最佳开关解决方案，多种高达 20 V 的单和双 N 沟道 MOSFET 可供选择。由于我们值得信赖的 TrenchMOS 和封装技术而具有出色的可靠性。易于使用，我们的低电压 MOSFET 专门设计用于满足具有低驱动电压的便携式应用的要求。
20 V，N 沟道 Trench MOSFET，N 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用无引线超小型 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
Trench MOSFET 技术
无引线超小型和薄型 SMD 塑料封装：1.1 x 1.0 x 0.37 mm
裸露的散热垫，用于提供极佳的热传导
超低漏-源通态电阻 RDSon = 42 mΩ
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低侧负载开关和充电开关，用于便携式设备
电池驱动便携式设备的电源管理
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直流 - 直流转换器