Nexperia P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=-20 V, -2.9 A, DFN, 表面安装, 4引脚, PMXB75UPEZ
- RS 库存编号:
- 153-1936
- 制造商零件编号:
- PMXB75UPEZ
- 制造商:
- Nexperia
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 153-1936
- 制造商零件编号:
- PMXB75UPEZ
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -2.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | -20V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 950mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| 最大功耗 Pd | 8.33W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.36mm | |
| 宽度 | 1.05 mm | |
| 长度 | 1.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -2.9A | ||
最大漏源电压 Vd -20V | ||
包装类型 DFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 950mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.8nC | ||
最大功耗 Pd 8.33W | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.36mm | ||
宽度 1.05 mm | ||
长度 1.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
20 V，P 沟道 Trench MOSFET，P 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用无引线超小型 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
Trench MOSFET 技术
无引线超小型和超薄型 SMD 塑料封装：1.1 x 1.0 x 0.37 mm
裸露的散热垫，用于提供极佳的热传导
静电放电 (ESD) 保护 1.5 kV HBM
漏-源导通电阻 RDSon = 69 mΩ
超低栅-源阈值电压 VGS(th) = -0.68 V，适合便携式应用
高侧负载开关和充电开关，用于便携式设备
电池驱动便携式设备的电源管理
LED 驱动器
直流 - 直流转换器