Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 6 A, WLCSP, 表面安装, 4引脚, PMCM4401VNEAZ, PMCM4401VNE系列
- RS 库存编号:
- 153-2892
- 制造商零件编号:
- PMCM4401VNEAZ
- 制造商:
- Nexperia
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|---|---|---|
| 25 - 2225 | RMB2.425 | RMB60.63 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 153-2892
- 制造商零件编号:
- PMCM4401VNEAZ
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 12V | |
| 包装类型 | WLCSP | |
| 系列 | PMCM4401VNE | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 120mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 12.5W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 0.81 mm | |
| 高度 | 0.16mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 0.81mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 12V | ||
包装类型 WLCSP | ||
系列 PMCM4401VNE | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 120mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 12.5W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 0.81 mm | ||
高度 0.16mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 0.81mm | ||
汽车标准 否 | ||
N 沟道 MOSFET ≤ 20 V，为您的便携式设计提供最佳开关解决方案，多种高达 20 V 的单和双 N 沟道 MOSFET 可供选择。由于我们值得信赖的 TrenchMOS 和封装技术而具有出色的可靠性。易于使用，我们的低电压 MOSFET 专门设计用于满足具有低驱动电压的便携式应用的要求。
N 沟道 MOSFET ≤ 20 V，为您的便携式设计提供最佳开关解决方案，多种高达 20 V 的单和双 N 沟道 MOSFET 可供选择。由于我们值得信赖的 TrenchMOS 和封装技术而具有出色的可靠性。易于使用，我们的低电压 MOSFET 专门设计用于满足具有低驱动电压的便携式应用的要求。
12V，N 沟道 Trench MOSFET，N 沟道增强模式场效应晶体管 (FET) 采用 4 凸点晶圆级芯片封装 (WLCSP)，采用 Trench MOSFET 技术。
12V，N 沟道 Trench MOSFET，N 沟道增强模式场效应晶体管 (FET) 采用 4 凸点晶圆级芯片封装 (WLCSP)，采用 Trench MOSFET 技术。
低阈值电压
超小型封装：0.78 x 0.78 x 0.35 mm
Trench MOSFET 技术
静电放电 (ESD) 保护：> 2 kV HBM
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路
低阈值电压
超小型封装：0.78 x 0.78 x 0.35 mm
Trench MOSFET 技术
静电放电 (ESD) 保护：> 2 kV HBM
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路