Infineon N沟道增强型MOS管 IRF7463系列, Vds=30 V, 14 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 162-3268
- 制造商零件编号:
- IRF7463TRPBF
- 制造商:
- Infineon
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 162-3268
- 制造商零件编号:
- IRF7463TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 14 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 20 MΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 长度 | 5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 4mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC @ 4.5 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 系列 | IRF7463 | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 14 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 20 MΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±12 V | ||
长度 5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 4mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 4.5 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
系列 IRF7463 | ||
高度 1.5mm | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
30V 单 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 SO-8 封装
低 RDS（接通）
行业领先的质量
动态 dv/dt 额定值
快速切换
175°C 工作温度
行业领先的质量
动态 dv/dt 额定值
快速切换
175°C 工作温度