Infineon N沟道增强型MOS管 AUIRF系列, Vds=150 V, 99 A, TO-262封装, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 162-3270
- 制造商零件编号:
- AUIRFSL4115
- 制造商:
- Infineon
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 162-3270
- 制造商零件编号:
- AUIRFSL4115
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 99 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 封装类型 | TO-262 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 12.1 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 375 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 77 nC @ 10 V | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 系列 | AUIRF | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 99 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
封装类型 TO-262 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 12.1 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 375 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 77 nC @ 10 V | ||
长度 10.67mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 9.65mm | ||
高度 4.83mm | ||
系列 AUIRF | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
专门设计用于汽车应用，此 HEXFET® 功率 MOSFET 利用最新工艺技术实现每硅区域极低接通电阻。此设计的其他功能包括 175°C 结点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能相结合形成这款极其高效且可靠的器件，适合用于汽车应用和各种其他应用
先进的工艺技术
超低接通电阻
175°C 工作温度
快速切换
重复雪崩允许高达 Tjmax
无铅
超低接通电阻
175°C 工作温度
快速切换
重复雪崩允许高达 Tjmax
无铅