Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 16 A, SO-8, 贴片安装, 8引脚, IRF7805Z系列
- RS 库存编号:
- 162-3276
- 制造商零件编号:
- IRF7805ZTRPBF
- 制造商:
- Infineon
不可供应
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- 制造商零件编号:
- IRF7805ZTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 16 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 系列 | IRF7805Z | |
| 封装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 8.7 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.25V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 18 nC @ 4.5 V | |
| 长度 | 5mm | |
| 宽度 | 4mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 正向二极管电压 | 1V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 16 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
系列 IRF7805Z | ||
封装类型 SO-8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 8.7 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.25V | ||
最小栅阈值电压 1.35V | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 4.5 V | ||
长度 5mm | ||
宽度 4mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 1.5mm | ||
正向二极管电压 1V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，16A 最大连续漏极电流，2.5W 最大功率耗散 - IRF7805ZTRPBF
英飞凌的这款 MOSFET 采用先进的 HEXFET 技术，可为高效应用提供优化的性能。该器件采用 N 沟道配置，可有效管理高连续漏极电流，同时保持低导通电阻，因此适用于对电气效率要求较高的任务。表面贴装功能和紧凑型 SO-8 封装增强了其通用性，尤其适用于为现代电子设备供电的直流-直流转换器电路。
特点和优势
• 低 Rds(on)，最大限度地减少能量损失
• 提高大电流应用的效率
• 优异的热性能，最高可达 +150°C
• 快速切换功能可提高设备响应速度
• 最大栅源电压为 ±20V
• 提高大电流应用的效率
• 优异的热性能，最高可达 +150°C
• 快速切换功能可提高设备响应速度
• 最大栅源电压为 ±20V
应用
• 要求低传导损耗的应用
• 移动通信设备和处理器
• 电子设备电源系统
• 电气系统的自动化和控制
• 移动通信设备和处理器
• 电子设备电源系统
• 电气系统的自动化和控制
最大连续漏极电流是多少？
它可处理高达 16A 的电流，可在各种应用中发挥强大性能。
在电路中使用这种 MOSFET 有什么好处？
它的低 Rds（on）和高效率降低了总体功率损耗，从而实现了有效的能源管理。
这种 MOSFET 能否在高温下工作？
是的，它的额定最高工作温度为 +150°C ，确保在各种条件下都能正常工作。
开关速度对其性能有何影响？
快速开关功能提高了器件响应速度，使其适用于高频应用。
该设备是否符合环保标准？
是的，它不含铅，符合 RoHS 规范，可促进安全操作，减少对环境的影响。