Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 59 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF3710ZS系列
- RS 库存编号:
- 162-3302P
- 制造商零件编号:
- IRF3710ZSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 162-3302P
- 制造商零件编号:
- IRF3710ZSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 59A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | IRF3710ZS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 18mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 160W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 82nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 宽度 | 9.65 mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 59A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 IRF3710ZS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 18mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 160W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 82nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.67mm | ||
宽度 9.65 mm | ||
高度 4.83mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
此 HEXFET® 功率 MOSFET 利用最新工艺技术实现每硅区域极低接通电阻。此设计的其他功能包括 175°C 结点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能相结合形成这款极其高效且可靠的器件，适合用于各种应用。
先进的工艺技术
超低接通电阻
动态 dv/dt 额定值
175°C 工作温度
快速切换
重复雪崩允许高达 Tjmax
无铅