onsemi N/P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 1.5 A，2 A, MCPH封装, 表面贴装, 6引脚

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RS 库存编号:
162-9433
制造商零件编号:
MCH6660-TL-H
制造商:
ON Semiconductor
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品牌

ON Semiconductor

通道类型

N，P

最大连续漏极电流

1.5 A，2 A

最大漏源电压

20 V

封装类型

MCPH

安装类型

贴片

引脚数目

6

最大漏源电阻值

136 mΩ, 266 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1.3V

最大功率耗散

800 mW

晶体管配置

隔离式

最大栅源电压

-10 V、+10 V

晶体管材料

Si

长度

2mm

最高工作温度

+150 °C

典型栅极电荷@Vgs

1.7 nC @ 4.5 V，1.8 nC @ 4.5 V

宽度

1.6mm

每片芯片元件数目

2

高度

0.85mm

COO (Country of Origin):
CN

双 N/P 通道 MOSFET，ON Semiconductor


NTJD1155L 是一种双通道 MOSFET 。该 MOSFET 在单个封装中同时采用 P 和 N 通道，非常适用于低控制信号，低电池电压和高负载电流。N 通道具有内部 ESD 保护功能，可以由低至 1.5V 的逻辑信号驱动，而 P 通道则设计用于负载切换应用。P 信道还采用半沟道技术设计。


MOSFET 晶体管，ON Semiconductor