onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=35 V, 6 A, CPH, 贴片安装, 6引脚

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RS 库存编号:
162-9951
制造商零件编号:
CPH6443-TL-W
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

6 A

最大漏源电压

35 V

封装类型

CPH

安装类型

贴片

引脚数目

6

最大漏源电阻值

73 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.6V

最小栅阈值电压

1.2V

最大功率耗散

1.6 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

长度

2.9mm

宽度

1.6mm

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

典型栅极电荷@Vgs

10 nC @ 10 V

正向二极管电压

1.2V

高度

0.9mm

COO (Country of Origin):
CN

N 通道功率 MOSFET，35V，ON Semiconductor



MOSFET 晶体管，ON Semiconductor