onsemi , 2 P型, N型沟道 N+P 负载开关 增强型 功率 MOSFET, Vds=8 V, 1.3 A, SC-88, 表面安装, 6引脚
- RS 库存编号:
- 163-1114
- 制造商零件编号:
- NTJD1155LT1G
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 163-1114
- 制造商零件编号:
- NTJD1155LT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 8V | |
| 包装类型 | SC-88 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 320mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 400mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 最低工作温度 | 150°C | |
| 正向电压 Vf | -0.8V | |
| 晶体管配置 | N+P 负载开关 | |
| 最高工作温度 | -55°C | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.35 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1.3A | ||
最大漏源电压 Vd 8V | ||
包装类型 SC-88 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 320mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 400mW | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
最低工作温度 150°C | ||
正向电压 Vf -0.8V | ||
晶体管配置 N+P 负载开关 | ||
最高工作温度 -55°C | ||
高度 1mm | ||
长度 2.2mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.35 mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
特点和优势：
• ESD 保护
•超低 RDS P 通道负载开关
• V 范围为 1.8 – 8.0V
•开 / 关范围– 1.5 至 8.0V
• SOT363 封装
•驱动器负载高达 1.3A ，电压为 8V
应用：
•高侧负荷开关，带液位移
•移动电话
•数码相机
• PDA 的
•媒体播放器
双 N/P 通道 MOSFET，ON Semiconductor
NTJD1155L 是一种双通道 MOSFET 。该 MOSFET 在单个封装中同时采用 P 和 N 通道，非常适用于低控制信号，低电池电压和高负载电流。N 通道具有内部 ESD 保护功能，可以由低至 1.5V 的逻辑信号驱动，而 P 通道则设计用于负载切换应用。P 信道还采用半沟道技术设计。