onsemi N沟道增强型功率 MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=4 A, 8针, SOIC
- RS 库存编号:
- 163-1128
- 制造商零件编号:
- NTMD4N03R2G
- 制造商:
- onsemi
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 80mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 正向电压 Vf | 0.82V | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 宽度 | 4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 80mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8nC | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
正向电压 Vf 0.82V | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最高工作温度 +150°C | ||
宽度 4mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.5mm | ||
长度 5mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
双 N 通道 MOSFET，ON Semiconductor
MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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