onsemi , 2 P型, N型沟道 隔离式 增强型 功率 MOSFET, Vds=30 V, 7 A, ECH, 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 163-2130
- 制造商零件编号:
- ECH8661-TL-H
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB2.744 | RMB8,232.00 |
| 15000 + | RMB2.634 | RMB7,902.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 163-2130
- 制造商零件编号:
- ECH8661-TL-H
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | ECH | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 39mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | 150°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11.8nC | |
| 最大功耗 Pd | 1.3W | |
| 正向电压 Vf | 0.79V | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 7A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 ECH | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 39mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 150°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.8nC | ||
最大功耗 Pd 1.3W | ||
正向电压 Vf 0.79V | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 2.9mm | ||
高度 0.9mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
双 N/P 通道 MOSFET，ON Semiconductor
NTJD1155L 是一种双通道 MOSFET 。该 MOSFET 在单个封装中同时采用 P 和 N 通道，非常适用于低控制信号，低电池电压和高负载电流。N 通道具有内部 ESD 保护功能，可以由低至 1.5V 的逻辑信号驱动，而 P 通道则设计用于负载切换应用。P 信道还采用半沟道技术设计。