STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 22 A, I2PAK, 通孔安装, 3引脚, STI28系列
- RS 库存编号:
- 164-6960
- 制造商零件编号:
- STI28N60M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
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| 250 + | RMB17.387 | RMB869.35 |
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- RS 库存编号:
- 164-6960
- 制造商零件编号:
- STI28N60M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 22A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | I2PAK | |
| 系列 | STI28 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 150mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最大功耗 Pd | 170W | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.6 mm | |
| 高度 | 9.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 22A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 I2PAK | ||
系列 STI28 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 150mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最大功耗 Pd 170W | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.4mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.6 mm | ||
高度 9.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
这些设备是采用 MDmesh™ M2 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。得益于其条状布局和改进的垂直结构，这些设备具有低接通电阻和优化的切换特点，非常适合最严苛的高效率转换器。
极低栅极电荷
极佳的输出电容 (COSS) 曲线
经过 100% 雪崩测试
齐纳保护
极低 Qg 可提高效率
为谐振电源（LLC 转换器）优化的栅极电荷和电容曲线