STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=22 A, 3针, I2PAK, STI28系列

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包装方式：
RS 库存编号:
164-6985
制造商零件编号:
STI28N60M2
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

22A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

STI28

包装类型

I2PAK

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

150mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

25V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

36nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.6V

最大功耗 Pd

170W

最高工作温度

150°C

长度

10.4mm

标准/认证

No

宽度

4.6mm

高度

9.3mm

汽车标准

否

这些设备是采用 MDmesh™ M2 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。得益于其条状布局和改进的垂直结构，这些设备具有低接通电阻和优化的切换特点，非常适合最严苛的高效率转换器。

极低栅极电荷

极佳的输出电容 (COSS) 曲线

经过 100% 雪崩测试

齐纳保护

极低 Qg 可提高效率

为谐振电源（LLC 转换器）优化的栅极电荷和电容曲线

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