Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 13.6 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, Si4162DY系列

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RS Stock No.:
165-2750
Mfr. Part No.:
SI4162DY-T1-GE3
Brand:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

13.6A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOIC

系列

Si4162DY

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

8mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

2.5W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

20nC

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

1.5mm

长度

5mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor