Vishay P型沟道增强型功率MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=20 V, Id=4 A, 8针, SOIC, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
165-2751
制造商零件编号:
SI9933CDY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

4A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SOIC

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

58mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

2W

最大栅源电压 Vgs

-12V, +12V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

17nC

最低工作温度

-50°C

最高工作温度

150°C

晶体管配置

隔离式

宽度

4mm

标准/认证

No

长度

5mm

高度

1.55mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

双 P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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